Infineon Technologies SPD50N03S2L06GBTMA1

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 85μA

Turn Off Delay Time

35 ns

Power Dissipation (Max)

136W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A Tc

已出版

2011

系列

OptiMOS™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

136W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.4m Ω @ 50A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2530pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

68nC @ 10V

上升时间

19ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

24 ns

连续放电电流(ID)

50A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0092Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

250 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无