我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
SPI11N65C3XKSA1备选型号: IPI60R280C6XKSA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 宽度
- 高度
- 长度
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 无卤素
- 下降时间（典型值）
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-CH 650V 11A TO-2628 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3PG-TO262-3-1125W Tc3.9V @ 500μA-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2005Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°CSingle10 nsN-Channel380mOhm @ 7A, 10V1200pF @ 25V60nC @ 10V5ns650V±20V11A20V650V1.2nF380mOhm380 mΩ4.52mm9.45mm10.36mm符合RoHS标准------------------
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO26212 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-13.8A Tc3.5V @ 430μA-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008不用于新设计1 (Unlimited)---13 nsN-Channel280m Ω @ 6.5A, 10V950pF @ 100V43nC @ 10V11ns-±20V13.8A20V-------ROHS3 CompliantSILICONyes3SINGLE未说明未说明不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET104WSWITCHING无卤素12 ns600V0.28Ohm40A284 mJ无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STFI15NM65N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Full Pack, I2Pak | MOSFET N-CH 650V 0.35Ohm 12A MDmesh II | 对比 |
| IPI65R310CFDXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262 | 对比 |
哦! 它是空的。