Infineon Technologies SPI11N65C3XKSA1
- 收藏
- 对比
SPI11N65C3XKSA1
1211-SPI11N65C3XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
1最小包装量--
SPI11N65C3XKSA1详情
Infineon Technologies SPI11N65C3XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO262-3-1
Power Dissipation (Max)
125W Tc
Turn Off Delay Time
44 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.9V @ 500μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
380mOhm @ 7A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1200pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
60nC @ 10V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
11A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
650V
输入电容
1.2nF
漏源电阻
380mOhm
最大rds
380 mΩ
宽度
4.52mm
高度
9.45mm
长度
10.36mm
RoHS状态
符合RoHS标准
SPI11N65C3XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies










哦! 它是空的。