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SPI11N65C3XKSA1备选型号: IPI65R310CFDXKSA1
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 最高工作温度
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
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- 宽度
- 高度
- 长度
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 无卤素
- 下降时间（典型值）
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-CH 650V 11A TO-2628 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3PG-TO262-3-1125W Tc3.9V @ 500μA-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2005Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°CSingle10 nsN-Channel380mOhm @ 7A, 10V1200pF @ 25V60nC @ 10V5ns650V±20V11A20V650V1.2nF380mOhm380 mΩ4.52mm9.45mm10.36mm符合RoHS标准-----------------
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO26216 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-11.4A Tc4.5V @ 440μA-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008Obsolete1 (Unlimited)---11 nsN-Channel310m Ω @ 4.4A, 10V1100pF @ 100V41nC @ 10V7.5ns-±20V11.4A20V-------符合RoHS标准SILICONyes3EAR99SINGLE未说明未说明R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHING无卤素7 ns650V34.4A290 mJ无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STFI15NM65N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Full Pack, I2Pak | MOSFET N-CH 650V 0.35Ohm 12A MDmesh II | 对比 |
| IPI65R310CFDXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262 | 对比 |
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