SPI15N65C3XKSA1备选型号: IPI50R250CPXKSA1

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    PG-TO262-3-1
    156W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    Single
    156W
    32 ns
    N-Channel
    280mOhm @ 9.4A, 10V
    3.9V @ 675μA
    无卤素
    1600pF @ 25V
    63nC @ 10V
    14ns
    650V
    ±20V
    11 ns
    15A
    20V
    650V
    650V
    1.6nF
    280mOhm
    280 mΩ
    3 V
    4.5mm
    10.2mm
    9.45mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3 Tab) TO-262
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    -
    -
    13A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    114W
    35 ns
    N-Channel
    250m Ω @ 7.8A, 10V
    3.5V @ 520μA
    无卤素
    1420pF @ 100V
    36nC @ 10V
    14ns
    -
    ±20V
    11 ns
    13A
    20V
    500V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    SILICON
    yes
    3
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    0.25Ohm
    345 mJ
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