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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥41.499232
10
¥39.150222
100
¥36.93417
500
¥34.843552
1000
¥32.871282
STMicroelectronics STFI20NM65N
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- 对比
STFI20NM65N
2381-STFI20NM65N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Full Pack, I2Pak
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MOSFET N-CH 650V 15A I2PAK-FP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STFI20NM65N详情
STMicroelectronics STFI20NM65N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Full Pack, I2Pak
质量
2.240009g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
15A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
30W Tc
Turn Off Delay Time
75 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ II
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
ECCN 代码
EAR99
电阻
250mOhm
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STFI20N
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
270m Ω @ 7.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1280pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
44nC @ 10V
上升时间
13.5ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
21 ns
连续放电电流(ID)
15A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
710V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STFI20NM65N拓展信息
STMicroelectronics
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