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SPI20N65C3XKSA1备选型号: STI33N65M2
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
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- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3PG-TO262-3-120.7A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2005Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C10 nsN-Channel190mOhm @ 13.1A, 10V3.9V @ 1mA2400pF @ 25V114nC @ 10V5ns650V±20V4.5 ns20.7A20V2.4nF190mOhm190 mΩ无符合RoHS标准-----------------
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-24A Tc150°C TJTubeMDmesh™ M2-活跃1 (Unlimited)--13.5 nsN-Channel140m Ω @ 12A, 10V4V @ 250μA1790pF @ 100V41.5nC @ 10V-650V±25V-24A25V----ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)16 WeeksSILICON3EAR99STI33NSingle增强型MOSFETDRAINSWITCHING0.14Ohm96A650V780 mJ9.35mm10.4mm4.6mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STI33N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK | 对比 |
 | STI21N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh | 对比 |
| IPI65R150CFDXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-262 | 对比 |
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