Infineon Technologies SPI20N65C3XKSA1
- 收藏
- 对比
SPI20N65C3XKSA1
1211-SPI20N65C3XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
1最小包装量--
SPI20N65C3XKSA1详情
Infineon Technologies SPI20N65C3XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO262-3-1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20.7A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
208W Tc
Turn Off Delay Time
67 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2400pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
114nC @ 10V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4.5 ns
连续放电电流(ID)
20.7A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
输入电容
2.4nF
漏源电阻
190mOhm
最大rds
190 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
SPI20N65C3XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies











哦! 它是空的。