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SPI21N50C3XKSA1备选型号: SPI20N65C3XKSA1
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
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- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
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- 辐射硬化
MOSFET N-CH 560V 21A I2PAK8 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3PG-TO262-3-121A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2005不用于新设计1 (Unlimited)150°C-55°C560V11.6ASingle208W10 nsN-Channel190mOhm @ 13.1A, 10V3.9V @ 1mA无卤素2400pF @ 25V95nC @ 10V5ns560V±20V4.5 ns21A20V500V500V2.4nF190mOhm190 mΩ9.45mm10.36mm4.52mmROHS3 Compliant无铅-- MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262-通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3PG-TO262-3-120.7A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2005Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C----10 nsN-Channel190mOhm @ 13.1A, 10V3.9V @ 1mA-2400pF @ 25V114nC @ 10V5ns650V±20V4.5 ns20.7A20V--2.4nF190mOhm190 mΩ---符合RoHS标准-无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STI33N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK | 对比 |
| IPI65R150CFDXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-262 | 对比 |
| SPI20N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262 | 对比 |
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