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SPP02N60C3XKSA1备选型号: IPP60R600P6XKSA1
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- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
MOSFET LOW POWER_PRICE/PERFORM通孔TO-220312005Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C650V25W1.8ASingle25W6 ns无卤素3ns600V12 ns1.8A3V20V600V600V200pF3Ohm3 Ω3 V无SVHC符合RoHS标准含铅------------
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220通孔TO-220-3363W Tc2013Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C-----11 ns无卤素7ns600V14 ns7.3A-20V600V-557pF540mOhm600 mΩ--符合RoHS标准无铅12 Weeks通孔PG-TO220-3-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ P6N-Channel600mOhm @ 2.4A, 10V4.5V @ 200μA557pF @ 100V12nC @ 10V±20V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R600P6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220 | 对比 |
 | FCP380N60E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP380N60E Power MOSFET, N Channel, 10.2 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2.5 V | 对比 |
| IPP60R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3 Tab) TO-220 | 对比 |
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