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SPP100N03S2-03备选型号: IRLB8314PBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB通孔通孔TO-220-3SILICON100A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2003e0Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)雪崩 额定30VSINGLE未说明100A未说明3R-PSFM-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-Channel3.3m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA7020pF @ 25V150nC @ 10V40ns±20V100ATO-220AB0.0033Ohm400A810 mJNon-RoHS Compliant含铅-----
MOSFET N-CH 30V 184A TO220通孔通孔TO-220-3-130A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2014-活跃1 (Unlimited)-EAR99----未说明-未说明-----N-Channel2.4m Ω @ 68A, 10V2.2V @ 100μA5050pF @ 15V60nC @ 4.5V-±20V130A----ROHS3 Compliant-12 Weeks330V1.7V无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP160N3LL | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 120A TO-220AB | 对比 |
| SPP80N03S2L04AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB | 对比 |
| IRLB8314PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 184A TO220 | 对比 |
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