SPP10N10备选型号: IRLI530NPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 电阻
- 元素配置
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 恢复时间
- 隔离电压
- 栅源电压
- 宽度
- 高度
- 长度
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220通孔通孔TO-220-33SILICON10.3A Tc4V @ 21μA-55°C~175°C TJTubeSIPMOS®2001e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99哑光锡雪崩 额定100VSINGLE未说明10.3A未说明不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET50WN-Channel170m Ω @ 7.8A, 10V426pF @ 25V19.4nC @ 10V±20V10.3ATO-262AA20V60 mJunknown符合RoHS标准无铅--------------------
- MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP通孔通孔TO-220-3 Full Pack3SILICON30 ns2V @ 250μA-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004-不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99-AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE100V--11A---增强型MOSFET33WN-Channel100m Ω @ 9A, 10V800pF @ 25V34nC @ 5V±16V12ATO-220AB16V-无SVHCROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free14 WeeksTin120mOhmSingleISOLATED7.2 nsSWITCHING53ns26 ns2V100V60A100V210 ns2kV2 V4.826mm16.12mm10.6172mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLI530NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP | 对比 |
| TK8A10K3,S5Q | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS | 对比 | |
| FQPF19N20T | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 100V 11.8A TO-220F | 对比 |




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