SPP11N60S5XKSA1备选型号: IPP60R280P6XKSA1

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 通道数量
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    MOSFET LOW POWER_PRICE/PERFORM
    12 Weeks
    通孔
    TO-220
    1
    2005
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    125W
    130 ns
    35ns
    20 ns
    11A
    20V
    600V
    380mOhm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    INFINEON IPP60R280P6Power MOSFET, N Channel, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
    18 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    13.8A Tc
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    104W
    12 ns
    6ns
    -
    13.8A
    20V
    600V
    252mOhm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    3
    PG-TO220-3
    6.000006g
    3.5V @ 430μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    1
    N-Channel
    280mOhm @ 6.5A, 10V
    无卤素
    950pF @ 100V
    43nC @ 10V
    600V
    ±20V
    600V
    950pF
    280 mΩ
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