SPP15P10PGHKSA1备选型号: FDPF680N10T
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- 晶体管元件材料
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- 操作温度
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 元素配置
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(3 Tab) TO-22026 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON15A Tc2007SIPMOS®Tube-55°C~175°C TJObsolete1 (Unlimited)3EAR99雪崩 额定SINGLER-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET128WP-ChannelSWITCHING240m Ω @ 10.6A, 10V2.1V @ 1.54mA1280pF @ 25V48nC @ 10V100V±20V15ATO-220AB20V0.24Ohm60A230 mJ符合RoHS标准----------------
- MOSFET N-CH 100V 12A TO-220F13 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full PackSILICON12A Tc2013PowerTrench®Tube-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)3EAR99----增强型MOSFET24WN-ChannelSWITCHING68m Ω @ 6A, 10V4.5V @ 250μA1000pF @ 50V17nC @ 10V-±20V12ATO-220AB20V0.068Ohm48A50.4 mJROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 6 days ago)32.27ge3yesTin (Sn)SingleISOLATED13 ns19ns6 ns100V16.07mm10.36mm4.9mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP50CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 20A TO-220 | 对比 |
![]() | IRLI520NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP | 对比 |
| FDPF680N10T | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 100V 12A TO-220F | 对比 |




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