Infineon Technologies SPP15P10PGHKSA1

工厂交货时间

26 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

128W Tc

Number of Elements

1

已出版

2007

系列

SIPMOS®

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

128W

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

240m Ω @ 10.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 1.54mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1280pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

48nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

15A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.24Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

雪崩能量等级（Eas）

230 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准