SPP15P10PGHKSA1备选型号: IRFI530NPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 系列
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 引脚数
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 隔离电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(3 Tab) TO-22026 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON15A Tc2007SIPMOS®Tube-55°C~175°C TJObsolete1 (Unlimited)3EAR99雪崩 额定SINGLER-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET128WP-ChannelSWITCHING240m Ω @ 10.6A, 10V2.1V @ 1.54mA1280pF @ 25V48nC @ 10V100V±20V15ATO-220AB20V0.24Ohm60A230 mJ符合RoHS标准---------------------
- MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP12 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full PackSILICON12A Tc1998HEXFET®Tube-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)3EAR99雪崩 额定---增强型MOSFET33WN-ChannelSWITCHING110m Ω @ 6.6A, 10V4V @ 250μA640pF @ 25V44nC @ 10V-±20V12ATO-220AB20V-60A-ROHS3 Compliant3110mOhm100V11ASingleISOLATED6.4 ns27ns25 ns4V100V100V190 ns2.5kV4 V9.8mm10.6172mm4.826mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP50CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 20A TO-220 | 对比 |
![]() | IRLI520NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP | 对比 |
| FDPF680N10T | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 100V 12A TO-220F | 对比 |




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