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SPP35N10备选型号: FQP8P10
- 隐藏公共属性
- 型号:
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 质量
- 无铅代码
- 终端
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB通孔通孔TO-220-3SILICON35A Tc-55°C~175°C TJTubeSIPMOS®2002e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99哑光锡雪崩 额定100V未说明35A未说明3R-PSFM-T3不合格Single增强型MOSFET150WN-Channel44m Ω @ 26.4A, 10V4V @ 83μA1570pF @ 25V65nC @ 10V63ns±20V23 ns35ATO-220AB20V0.044Ohm100V245 mJ符合RoHS标准------------------
MOSFET P-CH 100V 8A TO-220通孔通孔TO-220-3SILICON8A Tc-55°C~175°C TJTubeQFET®2002e3活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)--100V--8A----Single增强型MOSFET65WP-Channel530m Ω @ 4A, 10V4V @ 250μA470pF @ 25V15nC @ 10V110ns±30V35 ns8ATO-220AB30V--100V-ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 3 days ago)4 Weeks31.8gyes通孔11 nsSWITCHING100V8A-100V-4 V16.3mm10.67mm4.7mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP40NF12 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 120V 40A TO-220 | 对比 |
| FQP8P10 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET P-CH 100V 8A TO-220 | 对比 |
| STP40NF10L | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | In a Tube of 50, N-Channel MOSFET, 40 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP40NF10L | 对比 |
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