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SPP80N03S2L-06备选型号: IPP80N03S4L04AKSA1

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  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 端子位置
  • 配置
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • Infineon Technologies
    SPP80N03S2L-06
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    80A Tc
    2003
    OptiMOS™
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡铅
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    30V
    未说明
    unknown
    80A
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    150W
    N-Channel
    SWITCHING
    6.2m Ω @ 80A, 10V
    2V @ 80μA
    2530pF @ 25V
    68nC @ 10V
    23ns
    ±20V
    61 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    0.0095Ohm
    30V
    320A
    240 mJ
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP80N03S4L04AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    80A Tc
    2010
    OptiMOS™
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    超低电阻
    -
    未说明
    -
    -
    未说明
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    -
    3.7m Ω @ 80A, 10V
    2.2V @ 45μA
    5100pF @ 25V
    75nC @ 10V
    6ns
    ±16V
    7 ns
    80A
    TO-220AB
    16V
    -
    -
    -
    95 mJ
    符合RoHS标准
    含铅
    3
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    DRAIN
    9 ns
    无卤素
    30V
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