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首页 全部分类 SPP80N03S2L05AKSA1 vs IPP80N03S4L04AKSA1

SPP80N03S2L05AKSA1备选型号: IPP80N03S4L04AKSA1

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • RoHS状态
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    SPP80N03S2L05AKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2003
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    167W
    N-Channel
    SWITCHING
    5.2m Ω @ 55A, 10V
    2V @ 110μA
    3320pF @ 25V
    89.7nC @ 10V
    30V
    ±20V
    80A
    TO-220AB
    20V
    0.0075Ohm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP80N03S4L04AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    超低电阻
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    -
    3.7m Ω @ 80A, 10V
    2.2V @ 45μA
    5100pF @ 25V
    75nC @ 10V
    -
    ±16V
    80A
    TO-220AB
    16V
    -
    符合RoHS标准
    DRAIN
    9 ns
    无卤素
    6ns
    7 ns
    30V
    95 mJ
    含铅
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