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首页 全部分类 SPP80N06S2L-11 vs IPP80N06S209AKSA2

SPP80N06S2L-11备选型号: IPP80N06S209AKSA2

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  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 无铅代码
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    SPP80N06S2L-11
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2004
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    哑光锡
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    55V
    SINGLE
    unknown
    80A
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    158W
    8.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 40A, 10V
    2V @ 93μA
    2650pF @ 25V
    80nC @ 10V
    19ns
    ±20V
    18 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    280 mJ
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP80N06S209AKSA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    SINGLE
    not_compliant
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    -
    9.1m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 125μA
    2360pF @ 25V
    80nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    80A
    TO-220AB
    -
    370 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    10 Weeks
    yes
    AEC-Q101
    R-PSFM-T3
    无卤素
    55V
    0.0091Ohm
    320A
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