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首页 全部分类 SPP80N06S2L-H5 vs IPP100N06S205AKSA1

SPP80N06S2L-H5备选型号: IPP100N06S205AKSA1

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
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  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    SPP80N06S2L-H5
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2003
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    哑光锡
    雪崩 额定
    55V
    SINGLE
    unknown
    80A
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    5m Ω @ 80A, 10V
    2V @ 230μA
    6640pF @ 25V
    190nC @ 10V
    ±20V
    80A
    TO-220AB
    0.0065Ohm
    320A
    700 mJ
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP100N06S205AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2006
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    SINGLE
    -
    -
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    5m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    5110pF @ 25V
    170nC @ 10V
    ±20V
    100A
    TO-220AB
    0.005Ohm
    400A
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    3
    300W
    21 ns
    31ns
    55V
    20V
    55V
    无
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