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首页 全部分类 SPP80N06S2L-H5 vs STP100N6F7

SPP80N06S2L-H5备选型号: STP100N6F7

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  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    SPP80N06S2L-H5
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2003
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    哑光锡
    雪崩 额定
    55V
    SINGLE
    unknown
    80A
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    5m Ω @ 80A, 10V
    2V @ 230μA
    6640pF @ 25V
    190nC @ 10V
    ±20V
    80A
    TO-220AB
    0.0065Ohm
    320A
    700 mJ
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP100N6F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ F7
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    SINGLE
    -
    -
    -
    R-PSFM-T3
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    5.6m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    1980pF @ 25V
    30nC @ 10V
    ±20V
    100A
    TO-220AB
    0.0056Ohm
    400A
    200 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    22 Weeks
    未说明
    未说明
    STP100
    DRAIN
    SWITCHING
    60V
    60V
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