SSD2025TF备选型号: DMN6070SSD-13

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  • 型号:
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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 场效应管技术
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SOIC
    48 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    60V
    2W
    3A
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    100m Ω @ 3.3A, 10V
    1V @ 250μA
    30nC @ 10V
    18ns
    23 ns
    3.3A
    20V
    60V
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    1.5W
    -
    1.5W
    2 N-Channel (Dual)
    80m Ω @ 12A, 10V
    3V @ 250μA
    12.3nC @ 10V
    4.1ns
    11 ns
    3.3A
    20V
    60V
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    73.992255mg
    SILICON
    2011
    e3
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    鸥翼
    260
    30
    AEC-Q101
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    3.5 ns
    1.2W
    SWITCHING
    588pF @ 30V
    60V
    5.9 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
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