Diodes Incorporated DMN6070SSD-13

工厂交货时间

23 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

73.992255mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

35 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

1.5W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

参考标准

AEC-Q101

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

接通延迟时间

3.5 ns

功率 - 最大

1.2W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

80m Ω @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

588pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.3nC @ 10V

上升时间

4.1ns

漏源电压 (Vdss)

60V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

3.3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

雪崩能量等级（Eas）

5.9 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1.5mm

长度

4.95mm

宽度

3.95mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant