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SSM6K211FE,LF备选型号: DMP2035U-7
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 20V 3.2A ES612 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-666ES63.2A Ta1V @ 1mAU-MOSIII2009150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)N-Channel47mOhm @ 2A, 4.5V510pF @ 10V10.8nC @ 4.5V20V±10V3.2A510pF47 mΩ符合RoHS标准-------------------------------
MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-2315 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-3.6A Ta1V @ 250μA-2017-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)P-Channel35m Ω @ 4A, 4.5V1610pF @ 10V15.4nC @ 4.5V20V±8V-4.9A--ROHS3 CompliantTin37.994566mgSILICONe3yes3EAR9962mOhmHIGH RELIABILITYDUAL鸥翼260401Single增强型MOSFET810mW16.8 nsSWITCHING12.4ns42.4 ns10V-20V150°C1.1mm3mm1.4mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23 | 对比 |
| DMP2035U-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23 | 对比 |
 | DMN2050LFDB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN | 对比 |
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