SSM6K211FE,LF备选型号: IRLML6246TRPBF
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 20V 3.2A ES612 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-666ES63.2A Ta1V @ 1mAU-MOSIII2009150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)N-Channel47mOhm @ 2A, 4.5V510pF @ 10V10.8nC @ 4.5V20V±10V3.2A510pF47 mΩ符合RoHS标准--------------------------
- MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-2312 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-4.1A Ta1.1V @ 5μAHEXFET®2010-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)N-Channel46m Ω @ 4.1A, 4.5V290pF @ 16V3.5nC @ 4.5V-±12V4.1A--ROHS3 Compliant3SILICONe33EAR9946MOhmMatte Tin (Sn)DUAL鸥翼Single增强型MOSFET1.3W3.6 nsSWITCHING4.9ns6 ns12V12V20V13 ns1.016mm3.0226mm1.397mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23 | 对比 |
![]() | DMP2035U-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23 | 对比 |
![]() | DMN2050LFDB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN | 对比 |





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