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首页 全部分类 SSM6P35FE,LM vs FDY101PZ

SSM6P35FE,LM备选型号: FDY101PZ

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 最大rds
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  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    SSM6P35FE,LM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    ES6
    100mA
    150°C
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    150mW
    150mW
    2 P-Channel (Dual)
    8Ohm @ 50mA, 4V
    1V @ 1mA
    12.2pF @ 3V
    20V
    100mA
    12.2pF
    Standard
    8 Ω
    符合RoHS标准
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  • ON Semiconductor
    FDY101PZ
    ON Semiconductor
    MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-89, SOT-490
    -
    150mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
    1 (Unlimited)
    -
    -
    P-Channel
    8 Ω @ 150mA, 4.5V
    -
    100pF @ 10V
    20V
    150mA
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    30mg
    SILICON
    1.5V @ 250μA
    PowerTrench®
    2008
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    Single
    增强型MOSFET
    625mW
    6 ns
    1.4nC @ 4.5V
    13ns
    ±8V
    13 ns
    -1V
    8V
    8Ohm
    -20V
    780μm
    1.7mm
    980μm
    无SVHC
    无
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