SSM6P35FE,LM
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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35FE,LM

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型号

SSM6P35FE,LM

utmel 编号

2541-SSM6P35FE,LM

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6

起订量

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SSM6P35FE,LM
SSM6P35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6

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SSM6P35FE,LM详情

Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35FE,LM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 供应商器件包装

    ES6

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    100mA

  • 操作温度

    150°C

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    150mW

  • 功率 - 最大

    150mW

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    8Ohm @ 50mA, 4V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    12.2pF @ 3V

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 连续放电电流(ID)

    100mA

  • 输入电容

    12.2pF

  • 场效应管特性

    Standard

  • 最大rds

    8 Ω

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

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