Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35FE,LM
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SSM6P35FE,LM
2541-SSM6P35FE,LM
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-563, SOT-666
大陆
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MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6
1最小包装量--
SSM6P35FE,LM详情
Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35FE,LM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
供应商器件包装
ES6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100mA
操作温度
150°C
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
150mW
功率 - 最大
150mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
8Ohm @ 50mA, 4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
12.2pF @ 3V
漏源电压 (Vdss)
20V
连续放电电流(ID)
100mA
输入电容
12.2pF
场效应管特性
Standard
最大rds
8 Ω
RoHS状态
符合RoHS标准
SSM6P35FE,LM拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
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