STAC3932B备选型号: IPB600N25N3GATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 测试电流
- 漏源电压 (Vdss)
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 增益
- 最大输出功率
- 输入电容
- 功率 - 输出
- 场效应管技术
- 电压-测试
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 安装类型
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 无铅
- TRANS RF PWR N-CH 580W STAC244BACTIVE (Last Updated: 8 months ago)32 WeeksScrew, Surface MountSTAC244B42Tray活跃1 (Unlimited)4EAR99200°C-65°C625WDUALFLAT20A123MHzSTAC3934Single增强型MOSFETSOURCE250mA250VN-Channel20A20V24.6 dB900W492pF580WMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR100V5.33mm34.04mm9.78mm无SVHC无ROHS3 Compliant----------------------------
- Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2 Tab) TO-263-13 Weeks表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB325A TcTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)2EAR99---SINGLE鸥翼---4-增强型MOSFETDRAIN---25A20V-----------ROHS3 Compliant表面贴装SILICON-55°C~175°C TJOptiMOS™2008e3noTin (Sn)未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE136W10 nsN-ChannelSWITCHING60m Ω @ 25A, 10V4V @ 90μA无卤素2350pF @ 100V29nC @ 10V±20V8 ns250V0.06Ohm含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
![]() | IPB17N25S3100ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |




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