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STB120N10F4备选型号: FDB8896
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- Vgs（最大值）
- 极性/通道类型
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管技术
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 引脚数
- 质量
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- Reach合规守则
- 额定电流
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 100V D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON10V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)2EAR99雪崩 额定SINGLE鸥翼未说明未说明STB120NR-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING±20VN-CHANNEL120A0.01Ohm390A100V215 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORROHS3 Compliant---------------------------------
MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON19A Ta 93A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)2EAR99--鸥翼未说明未说明-R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINSWITCHING±20V-80A---74 mJ-ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 day ago)10 WeeksTin31.31247gPowerTrench®2004e3yes5.7MOhm30Vnot_compliant93A不合格Single80W9 nsN-Channel5.7m Ω @ 35A, 10V2.5V @ 250μA2525pF @ 15V67nC @ 10V102ns44 ns93A2.5V20V30V1mm3mm1.7mm无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK | 对比 |
| IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | 对比 |
| FDB8896 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB | 对比 |
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