我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
STB120N10F4备选型号: IRF9540NSTRLPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- Vgs（最大值）
- 极性/通道类型
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管技术
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 引脚数
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 通道数量
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 100V D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON10V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)2EAR99雪崩 额定SINGLE鸥翼未说明未说明STB120NR-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING±20VN-CHANNEL120A0.01Ohm390A100V215 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORROHS3 Compliant-------------------------------------
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON23A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)2EAR99AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY-鸥翼26030-R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINSWITCHING±20V-----84 mJ-ROHS3 Compliant12 WeeksTin3HEXFET®2003e3SMD/SMT117mOhm-100V-23A1100VSingle23A3.8W13 nsP-Channel117m Ω @ 14A, 10V4V @ 250μA1450pF @ 25V110nC @ 10V67ns51 ns-23A-4V20V-100V100V210 ns150°C-4 V5.084mm10.668mm9.65mm无SVHC无含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK | 对比 |
| IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | 对比 |
 | FDB8896 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB | 对比 |
哦! 它是空的。