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STB130N6F7备选型号: IPB050N06NGATMA1
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- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
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- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
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- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-CH 60V 80A F7 D2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)22 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB80A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)STripFET™ F7活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STB130NN-Channel5m Ω @ 40A, 10V4V @ 250μA2600pF @ 25V42nC @ 10V60V±20V80AROHS3 Compliant无铅---------------------
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB100A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™Obsolete1 (Unlimited)EAR9926040-N-Channel4.7m Ω @ 100A, 10V4V @ 270μA6100pF @ 30V167nC @ 10V60V±20V100A符合RoHS标准-SILICON2007e3yes2哑光锡雪崩 额定SINGLE鸥翼4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET300WDRAINSWITCHING20V0.0047Ohm400A60V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB90N06S4L04ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | 对比 |
| IPB050N06NGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| IPB90N06S404ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |
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