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首页 全部分类 STB140NF75T4 vs IRF1407STRLPBF

STB140NF75T4备选型号: IRF1407STRLPBF

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
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  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • STMicroelectronics
    STB140NF75T4
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ III
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    7.5mOhm
    雪崩 额定
    75V
    鸥翼
    245
    120A
    30
    STB140N
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    310W
    DRAIN
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.5m Ω @ 70A, 10V
    4V @ 250μA
    5000pF @ 25V
    218nC @ 10V
    140ns
    ±20V
    90 ns
    120A
    4V
    20V
    75V
    480A
    75V
    750 mJ
    4 V
    4.6mm
    10.4mm
    9.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF1407STRLPBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 75 V 0.0078 Ohm 250 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    7.8mOhm
    HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
    -
    鸥翼
    260
    -
    30
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    3.8W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.8m Ω @ 78A, 10V
    4V @ 250μA
    5600pF @ 25V
    250nC @ 10V
    150ns
    ±20V
    140 ns
    100A
    4V
    20V
    75V
    520A
    75V
    -
    4 V
    4.826mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2004
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    75A
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