您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STB140NF75T4 vs IRFS3307TRLPBF

STB140NF75T4备选型号: IRFS3307TRLPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 端子表面处理
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • STMicroelectronics
    STB140NF75T4
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ III
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    7.5mOhm
    雪崩 额定
    75V
    鸥翼
    245
    120A
    30
    STB140N
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    310W
    DRAIN
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.5m Ω @ 70A, 10V
    4V @ 250μA
    5000pF @ 25V
    218nC @ 10V
    140ns
    ±20V
    90 ns
    120A
    4V
    20V
    75V
    480A
    75V
    750 mJ
    4 V
    4.6mm
    10.4mm
    9.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFS3307TRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
    -
    15 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    -
    EAR99
    6.3MOhm
    -
    -
    鸥翼
    260
    -
    30
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    26 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.3m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 150μA
    5150pF @ 50V
    180nC @ 10V
    120ns
    ±20V
    63 ns
    120A
    -
    20V
    75V
    -
    -
    270 mJ
    -
    4.572mm
    10.668mm
    9.65mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2006
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    75A
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STB150NF55T4 STB150NF55T4 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R 对比
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Single N-Channel 75 V 0.0078 Ohm 250 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK 对比
IRFS3307TRLPBF IRFS3307TRLPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK 对比