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STB150N3LH6备选型号: IPB80N03S4L02ATMA1
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- 包装/外壳
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)DeepGATE™, STripFET™ VIObsolete1 (Unlimited)unknownSTB150NSingle110WN-Channel3m Ω @ 40A, 10V2.5V @ 250μA3800pF @ 25V80nC @ 10V85ns±20V40 ns80A20V30VROHS3 Compliant------------------------
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™活跃1 (Unlimited)not_compliant---N-Channel2.4m Ω @ 80A, 10V2.2V @ 90μA9750pF @ 25V140nC @ 10V9ns±16V13 ns80A16V-ROHS3 Compliant16 Weeks3SILICON2007e32EAR99Tin (Sn)超低电阻8541.29.00.95SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN14 ns无卤素30V0.0024Ohm260 mJ含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SPB100N03S203T | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 对比 |
| IRF2903ZSTRLP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | 对比 |
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