STB150N3LH6备选型号: SPB100N03S203T
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- 已出版
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 最大rds
- 无铅
- MOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)DeepGATE™, STripFET™ VIObsolete1 (Unlimited)unknownSTB150NSingle110WN-Channel3m Ω @ 40A, 10V2.5V @ 250μA3800pF @ 25V80nC @ 10V85ns±20V40 ns80A20V30VROHS3 Compliant--------
- MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB100A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™Obsolete1 (Unlimited)----N-Channel3mOhm @ 80A, 10V4V @ 250μA7020pF @ 25V150nC @ 10V40ns±20V-100A--符合RoHS标准PG-TO263-3-2200330V100A30V7.02nF3 mΩ无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SPB100N03S203T | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 对比 |
![]() | IRF2903ZSTRLP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | 对比 |




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