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1

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10

￥12.483678
100

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500

￥11.110433
1000

￥10.481539

STMicroelectronics STB150N3LH6

Name: STB150N3LH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 2381-STB150N3LH6
Price: 13.23 USD
Availability: InStock
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对比

型号

STB150N3LH6

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-STB150N3LH6

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE

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STB150N3LH6 STMicroelectronics MOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE

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STMicroelectronics STB150N3LH6重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V
Power Dissipation (Max)

110W Tc
Turn Off Delay Time

100 ns
操作温度

-55°C~175°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
系列

DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
Reach合规守则

unknown
基本部件号

STB150N
元素配置

Single
功率耗散

110W
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

3m Ω @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3800pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80nC @ 10V
上升时间

85ns
Vgs（最大值）

±20V
下降时间（典型值）

40 ns
连续放电电流(ID)

80A
栅极至源极电压(Vgs)

20V
漏源击穿电压

30V
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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STB150N3LH6拓展信息

热销零件