STMicroelectronics STB150N3LH6

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

Turn Off Delay Time

100 ns

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

系列

DeepGATE™, STripFET™ VI

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

基本部件号

STB150N

元素配置

Single

功率耗散

110W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3m Ω @ 40A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80nC @ 10V

上升时间

85ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

40 ns

连续放电电流(ID)

80A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

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