STB155N3H6备选型号: FDB8860
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 元素配置
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)DeepGATE™, STripFET™ VIObsolete1 (Unlimited)2EAR99ULTRA-LOW RESISTANCESINGLE鸥翼STB155N4R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET70WDRAIN20 nsN-ChannelSWITCHING3m Ω @ 40A, 10V4V @ 250μA3650pF @ 25V62nC @ 10V90ns30V±20V20 ns80A2V20V525 mJ4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------
- Trans MOSFET N-CH 30V 31A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®活跃1 (Unlimited)2EAR99--鸥翼--R-PSSO-G2-增强型MOSFET254WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING2.3m Ω @ 80A, 10V3V @ 250μA12585pF @ 15V214nC @ 10V213ns-±20V49 ns80A1.7V20V947 mJ4.83mm10.67mm11.33mm无SVHC无ROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)10 Weeks1.31247g2005e3yesTin (Sn)Single0.0027Ohm30V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDB8880 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET NCH PWR TRNCH MOSFET 30V 54A 11.6 OHMS | 对比 |
![]() | STB95N3LLH6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
![]() | IPB042N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |





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