STMicroelectronics STB95N3LLH6

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

70W Tc

Turn Off Delay Time

24.5 ns

操作温度

175°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

DeepGATE™, STripFET™ VI

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

基本部件号

STB95N

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

70W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

19 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.2m Ω @ 40A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24.5nC @ 4.5V

上升时间

91ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

23.4 ns

连续放电电流(ID)

80A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.007Ohm

高度

4.6mm

长度

10.75mm

宽度

10.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant