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首页 全部分类 STB18N60DM2 vs IPB65R280C6ATMA1

STB18N60DM2备选型号: IPB65R280C6ATMA1

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  • 已出版
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  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STB18N60DM2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STB18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    D2PAK-0079457
    12A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ DM2
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STB18N
    1
    110W
    13.5 ns
    N-Channel
    295m Ω @ 6A, 10V
    5V @ 250μA
    800pF @ 100V
    20nC @ 10V
    ±25V
    12A
    4V
    25V
    600V
    150°C
    4.83mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
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  • Infineon Technologies
    IPB65R280C6ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(2 Tab) TO-263
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    -
    13.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    -
    104W
    13 ns
    N-Channel
    280m Ω @ 4.4A, 10V
    3.5V @ 440μA
    950pF @ 100V
    45nC @ 10V
    ±20V
    13.8A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    SILICON
    2008
    e3
    no
    2
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    11ns
    12 ns
    650V
    0.28Ohm
    39A
    290 mJ
    含铅
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IPB65R280C6ATMA1 IPB65R280C6ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(2 Tab) TO-263 对比