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STB200NF03T4备选型号: IRL7833STRLPBF
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 电阻
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/RACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIIe3活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定30V鸥翼245120A30STB200N3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET300WDRAIN30 nsN-ChannelSWITCHING3.6m Ω @ 60A, 10V4V @ 250μA4950pF @ 25V140nC @ 10V195ns±20V60 ns60A4V20V30V480A30V4 V4.6mm10.4mm9.35mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---
MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK-12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON150A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3活跃1 (Unlimited)2-EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier--鸥翼260-30--R-PSSO-G2Single增强型MOSFET140WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING3.8m Ω @ 38A, 10V2.3V @ 250μA4170pF @ 15V47nC @ 4.5V50ns±20V6.9 ns150A-20V30V600A--4.826mm10.668mm9.65mm-无ROHS3 Compliant无铅20043.8MOhm75A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRL7833SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK | 对比 |
| STB100NF03L-03T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp | 对比 |
| IRL7833STRRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK | 对比 |
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