Infineon Technologies IRL7833STRRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

供应商器件包装

D2PAK

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

150A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

140W Tc

Turn Off Delay Time

21 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

3.8MOhm

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

元素配置

Single

功率耗散

140W

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.8mOhm @ 38A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4170pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

47nC @ 4.5V

上升时间

50ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6.9 ns

连续放电电流(ID)

150A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

输入电容

4.17nF

漏源电阻

3.8mOhm

最大rds

3.8 mΩ

栅源电压

2.3 V

高度

4.826mm

长度

10.668mm

宽度

9.65mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅