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首页 全部分类 STB20N95K5 vs FQB6N80TM

STB20N95K5备选型号: FQB6N80TM

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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 资历状况
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STB20N95K5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    17.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    SuperMESH5™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    330MOhm
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    245
    STB20N
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    250W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    330m Ω @ 9A, 10V
    5V @ 100μA
    1500pF @ 100V
    40nC @ 10V
    12ns
    ±30V
    20 ns
    17.5A
    30V
    950V
    70A
    200 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQB6N80TM
    ON Semiconductor
    MOSFET 800V N-Channel QFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    5.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    1.95Ohm
    -
    -
    鸥翼
    未说明
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    3.13W
    DRAIN
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.95 Ω @ 2.9A, 10V
    5V @ 250μA
    1500pF @ 25V
    31nC @ 10V
    70ns
    ±30V
    45 ns
    5.8A
    30V
    800V
    -
    680 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    1.31247g
    2000
    yes
    800V
    not_compliant
    5.8A
    未说明
    不合格
    Single
    5V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
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