ON Semiconductor FQB6N80TM

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

1.31247g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.13W Ta 158W Tc

Turn Off Delay Time

65 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.95Ohm

电压 - 额定直流

800V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

5.8A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.13W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.95 Ω @ 2.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

上升时间

70ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

45 ns

连续放电电流(ID)

5.8A

阈值电压

5V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

800V

雪崩能量等级（Eas）

680 mJ

高度

4.83mm

长度

10.67mm

宽度

9.65mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅