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STB24N65M2备选型号: IPB50R199CPATMA1
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- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 650V 16A D2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON16A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ M2活跃1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼未说明未说明STB24NR-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING230m Ω @ 8A, 10V4V @ 250μA1060pF @ 100V29nC @ 10V650V±25V16A0.23Ohm64A650V650 mJROHS3 Compliant无铅--------------- MOSFET N-CH 550V 17A TO-263-8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON17A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™不用于新设计1 (Unlimited)2-SINGLE鸥翼---R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING199m Ω @ 9.9A, 10V3.5V @ 660μA1800pF @ 100V45nC @ 10V550V±20V17A-40A--ROHS3 Compliant含铅32008e3noTin (Sn)4139W35 ns无卤素14ns10 ns20V500V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R190CFDAATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH TO263-3 | 对比 |
 | STB20N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK | 对比 |
| STB24N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK | 对比 |
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