Infineon Technologies IPB50R199CPATMA1

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

139W Tc

Turn Off Delay Time

80 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

139W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

199m Ω @ 9.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 660μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1800pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45nC @ 10V

上升时间

14ns

漏源电压 (Vdss)

550V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

17A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅