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STB28NM60ND备选型号: STB28N60M2
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- 晶体管元件材料
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB33.949996gSILICON23A Tc150°C TJCut Tape (CT)FDmesh™ II活跃1 (Unlimited)2EAR99鸥翼STB28NR-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN23.5 nsN-ChannelSWITCHING150m Ω @ 11.5A, 10V5V @ 250μA2090pF @ 100V62.5nC @ 10V21.5ns600V±25V27 ns23A25V650V92A50 mJ4.6mm10.4mm9.35mm无ROHS3 Compliant无铅---- MOSFET POWER MOSFET表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-3.949996gSILICON22A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ II Plus活跃1 (Unlimited)2EAR99鸥翼STB28NR-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN14.5 nsN-ChannelSWITCHING150m Ω @ 11A, 10V4V @ 250μA1440pF @ 100V36nC @ 10V7.2ns-±25V8 ns22A25V600V88A350 mJ----ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)26 WeeksTin
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB27NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | 对比 |
| STB28N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |
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