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STB30NF20备选型号: IRFS4620PBF
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 终端
- 双电源电压
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB2SILICON30A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)STripFET™e3活跃1 (Unlimited)2EAR9965mOhm哑光锡鸥翼24530STB30N3Single增强型MOSFET125W35 nsN-ChannelSWITCHING75m Ω @ 15A, 10V4V @ 250μA1597pF @ 25V38nC @ 10V15.7ns±20V8.8 ns30A3V20V200V140 mJ3 V4.6mm10.4mm9.35mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---- MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK-14 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-24A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®-Discontinued1 (Unlimited)-EAR99-------Single-144W13.4 nsN-Channel-77.5m Ω @ 15A, 10V5V @ 100μA1710pF @ 50V38nC @ 10V22.4ns±20V14.8 ns24A5V20V200V-5 V4.826mm10.668mm9.65mm无SVHC-ROHS3 Compliant无铅2007SMD/SMT200V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQB34N20LTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | 对比 |
| IRFS5620TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | 对比 |
| IRFS4620PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | 对比 |
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