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STB35N60DM2备选型号: STB40N60M2
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- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
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- 连续放电电流(ID)
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- 质量
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- 终端形式
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- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
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- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-CH 600V 28AACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB328A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ DM2活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STB35NN-Channel110m Ω @ 14A, 10V5V @ 250μA2400pF @ 100V54nC @ 10V600V±25V28A4V无SVHCROHS3 Compliant-------------------- MOSFET POWER MOSFET-26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-34A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ II Plus活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STB40NN-Channel88m Ω @ 17A, 10V4V @ 250μA2500pF @ 100V57nC @ 10V600V±25V34A--ROHS3 CompliantTin3.949996gSILICON2鸥翼R-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN20.5 nsSWITCHING13.5ns11 ns25V0.088Ohm600V500 mJ无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB40N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |
 | IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 | 对比 |
| STB42N60M2-EP | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK | 对比 |
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