我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
STB42N60M2-EP备选型号: IPB60R099CPAATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB34A Tc150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ M2-EP活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STB42NN-Channel87m Ω @ 17A, 10V4.75V @ 250μA2370pF @ 100V55nC @ 10V600V±25V34AROHS3 Compliant-------------------------
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3-8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™不用于新设计1 (Unlimited)-未说明未说明-N-Channel105m Ω @ 18A, 10V3.5V @ 1.2mA2800pF @ 100V80nC @ 10V-±20V31AROHS3 Compliant3SILICON2009e3no2Tin (Sn)SINGLE鸥翼not_compliant4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET255WDRAIN10 nsSWITCHING无卤素5ns20V600V800 mJ含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB45N50DM2AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 35A | 对比 |
| STB40N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |
| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 | 对比 |
哦! 它是空的。